Λεπίδα στροβίλου μονοκρυστάλλου

Οι λεπίδες κατευθυντικής κρυστάλλωσης εξαλείφουν τα εγκάρσια όρια κόκκων, τα οποία είναι ευαίσθητα σε κενά και ρωγμές, έτσι ώστε όλα τα όρια των κόκκων να είναι παράλληλα προς την κατεύθυνση του άξονα τάσης, βελτιώνοντας έτσι τη δυνατότητα συντήρησης του κράματος. Η λεπίδα ενός κρυστάλλου εξαλείφει όλα τα όρια κόκκων, δεν χρειάζεται να προσθέσει στοιχεία ενίσχυσης των ορίων κόκκων, έτσι ώστε η αρχική θερμοκρασία τήξης του κράματος να είναι σχετικά υψηλή, αυξάνοντας έτσι την αντοχή του κράματος σε υψηλή θερμοκρασία και βελτιώνοντας περαιτέρω τη συνολική απόδοση του το κράμα. Λεπίδες μονοκρυστάλλου ολόκληρη η χύτευση αποτελείται από μια σύνθεση κόκκων από τη χύτευση κραμάτων υψηλής θερμοκρασίας. Αυτό ακολουθεί την κατευθυντική στερεοποίηση χύτευσης κραμάτων υψηλής θερμοκρασίας, για περαιτέρω βελτίωση της αντοχής του κράματος και της χρήσης της θερμοκρασίας ενός τρόπου.

Τα χυτά λεπίδας ενός κρυστάλλου της ιδανικής οργάνωσης είναι η ρίζα του φύλλου, το σώμα του φύλλου και η κορώνα των φύλλων, αποτελούνται από πολυφασικό μονοκρύσταλλο χωρίς ελαττώματα. Ο προσανατολισμός των κρυστάλλων πρέπει να είναι 〈001〉 κατεύθυνση και με τον άξονα της κύριας τάσης της λεπίδας η κατεύθυνση μεταξύ της απόκλισης δεν πρέπει να είναι μεγαλύτερη από 10 μοίρες. Τα χυτά μονοκρυστάλλων μπορούν να παρασκευαστούν με τον ίδιο εξοπλισμό και διαδικασία κατευθυντικής στερεοποίησης, και τα χυτά κατευθυντικής στερεοποίησης διαφέρουν μόνο στο υδρόψυκτο πλαίσιο του άνω μέρους της προσθήκης του επιλογέα κρυστάλλου ή του μικρού κρυστάλλου, προκειμένου να ελέγχεται ο μονοκρύσταλλος στο κάστινγκ.

Σύντομη ιστορία των αρχικών κραμάτων υψηλής θερμοκρασίας χύτευσης μονού κρυστάλλου με χρήση σύνθεσης κράματος κανονικής χύτευσης υψηλής θερμοκρασίας, σε αυτήν την περίπτωση, κράματα υψηλής θερμοκρασίας χύτευσης μονού κρυστάλλου και κράματα υψηλής θερμοκρασίας χύτευσης κατευθυντικής στερεοποίησης, επιπλέον της βελτίωσης της εγκάρσιας αντοχής και πλαστικότητα, και άλλες ιδιότητες και καμία σημαντική βελτίωση. στα τέλη της δεκαετίας του 1970, η εμφάνιση της αφαίρεσης των ορίων κόκκων των ενισχυμένων (βλ. κράματα υψηλής θερμοκρασίας ενισχυμένα από τα όρια κόκκων των) στοιχείων των κραμάτων υψηλής θερμοκρασίας χύτευσης μονοκρυστάλλου, όπως το PwAl480 των ΗΠΑ, NASAIRl00.

άνθρακα, βόριο, ζιρκόνιο, άφνιο και άλλα στοιχεία ενίσχυσης των ορίων κόκκων αφαιρέθηκαν για να βελτιωθεί η αρχική θερμοκρασία τήξης του κράματος, επιτρέποντας έτσι τη βελτίωση της θερμοκρασίας επεξεργασίας του στερεού διαλύματος, για να ληφθεί μια λεπτότερη, πιο διάχυτη φάση Υ (βλ. υλικά από κράμα υψηλής θερμοκρασίας φάσεις διαμεταλλικών ενώσεων), έτσι ώστε η δυνατότητα του κράματος να έχει πιο πλήρες παιχνίδι. Μετά από περισσότερα από 20 χρόνια ανάπτυξης, περισσότεροι από 20 τύποι έχουν εμφανιστεί κράματα χυτού μονοκρυστάλλου υψηλής θερμοκρασίας. Αυτά τα κράματα μπορούν να χωριστούν σε τρεις γενιές: η πρώτη γενιά του PwAl480 ως αντιπροσωπευτική της ικανότητας μεταφοράς θερμοκρασίας από το καλύτερο κράμα υψηλής θερμοκρασίας PwAl422 με χύτευση κατευθυντικής στερεοποίησης έχει πλεονέκτημα 25 μοιρών. η δεύτερη γενιά σε PwAl484 ως εκπρόσωπος της πρώτης γενιάς από την πρώτη γενιά και βελτιώθηκε κατά 25 βαθμούς. που αναπτύσσεται είναι η τρίτη γενιά κραμάτων μονοκρυστάλλων.